Немецкая Infineon Technologies впервые получила работоспособные силовые полупроводниковые приборы на основе карбида кремния (SiC) с применением кремниевых пластин диаметром 300 мм.
Испытательное производство организовано на предприятии компании в австрийском Филлахе. Для этого удалось задействовать уже существующее оборудование, используемое при выпуске обычных кремниевых чипов. Переход на пластины увеличенного диаметра позволит получать в 2,3 раза больше кристаллов с одной заготовки по сравнению с применяемым ранее форматом 200 мм.
Достижение стало важным шагом к промышленному выпуску SiC-компонентов нового поколения. Infineon намерена согласовывать сроки внедрения технологии с заказчиками и партнерами, одновременно продолжая развитие производства на 200-мм пластинах. Такие полупроводники востребованы в электромобилях, зарядных станциях, системах накопления энергии, промышленном оборудовании и источниках бесперебойного питания. Растет также спрос со стороны центров обработки данных для искусственного интеллекта, где SiC-компоненты могут применяться в трансформаторах, выключателях и системах электропитания.
Параллельно предприятие Infineon в Дрездене подтвердило возможность использования технологии Cold Split для разделения 300-мм пластин карбида кремния. Она позволяет получать больше заготовок из одного кристалла с меньшими потерями материала и сокращением времени обработки по сравнению с традиционной резкой проволокой. Компания развивает производство сразу трех типов полупроводников — кремниевых, карбид-кремниевых и на основе нитрида галлия. В конце октября Infineon также объявила об инвестициях около 1,1 млрд евро в массовое производство силовых GaN-компонентов на 300-мм пластинах в Филлахе.
