Samsung начала строительство нового предприятия по упаковке полупроводников в кампусе Оньян в Южной Корее. Общий объём запланированных инвестиций в расширение площадки составит около 46 трлн вон — примерно $34 млрд. Из этой суммы 6 трлн вон направят на строительство производственных помещений, ещё 40 трлн — на оборудование, которое будут устанавливать поэтапно. Новую линию планируют запустить в июне 2028 года, примерно на год раньше первоначального графика.
Предприятие станет пятой линией производства HBM на площадке Samsung. Оно будет занимать три этажа, а общая площадь чистых помещений составит около 31 000 м². После расширения площадь всего кампуса увеличится с 270 000 до 420 000 м². По данным южнокорейского агентства Yonhap, проект позволит создать около 700 рабочих мест. В церемонии начала строительства 12 ноября участвовали председатель Samsung Ли Чжэ Ён и президент Южной Кореи Ли Чжэ Мён.
Расширение связано с растущим спросом на HBM — память с высокой пропускной способностью, которую используют в современных ИИ-ускорителях. В отличие от DDR5, в HBM несколько кристаллов DRAM располагаются друг над другом и соединяются вертикальными контактами, проходящими сквозь кремний. Затем полученная сборка объединяется с процессором или ИИ-ускорителем в одном корпусе. Такая конструкция обеспечивает широкую шину обмена данными и высокую скорость передачи информации, но требует исключительно точной сборки, надёжных соединений и тщательного тестирования.
Источник изображения: сгенерировано Muse
Именно упаковка становится одним из ограничителей выпуска готовых HBM-модулей. Даже если производитель способен выпускать достаточно отдельных кристаллов памяти, этого недостаточно: их ещё нужно сложить в стек, соединить между собой и проверить. Дефект одного из контактов может вывести из строя весь модуль. С ростом числа слоёв и плотности соединений усложняются как производство, так и контроль качества. Поэтому Samsung расширяет не только выпуск самих микросхем, но и мощности для последующих этапов обработки, от которых зависит количество готовых изделий.
При этом июнь 2028 года — срок начала работы новой линии, а не обещание немедленно выйти на максимальные объёмы. По данным TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ, массовое производство на площадке может начаться лишь в мае 2029 года. Samsung официально не подтверждала эту дату. Компания также пока не раскрыла планируемые ежемесячные объёмы выпуска и не подтвердила, какие именно линии будут предназначены для отдельных поколений памяти. TrendForce связывает проект в том числе с подготовкой к HBM4E, однако официальной разбивки по продуктам Samsung не публиковала.
На рынке HBM Samsung конкурирует с SK hynix и Micron. Новые мощности в Оньяне должны дать Samsung возможность увеличить выпуск сложных HBM-модулей и подготовить производство к следующим поколениям памяти. Но реальное влияние инвестиций на позиции компании станет понятно только после запуска линий, выхода на стабильный уровень качества и получения заказов.
